Кoмпaния TSMC пoдрoбнo рaсскaзaлa o грaфикe рaзрaбoтки чипoв нa свoeм технологическом симпозиуме 2022 годы.
Тайваньский деятель микросхем представит 3-нм чипы в второй половине сего года и выведет 2-нм технологию в мировую арену в 2025 году. 3-нм техпроцесс закругляйся состоять с пяти уровней, сколько) (на брата из которых закругляйся более мощным, с большей плотностью транзисторов и паче эффективным — N3, N3E (термоулучшенный), N3P (повышенная коэффициент полезного действия), N3S (улучшенная компактность) и N3X (сверхвысокая плодотворность).
Что касается 2-нм узла, симпатия повысит коэффициент полезного действия на 10–15 % рядом том а энергопотреблении и обеспечит уменьшение потребления бери 25–30 % быть той но частоте и количестве транзисторов по части сравнению с узлом N3E. N2 увеличивает уплотненность чипа ровно по сравнению с N3E в 1,1 раза.
TSMC вдобавок представила GAAFET (полевые транзисторы с затвором). Новые нанолистовые транзисторы увеличат мощность на ватт после счет снижения сопротивления.
Средь тем, Samsung Foundry вот и все начнет массовое создание 3-нм чипов в 2022 году, а выделывание 2-нм чипов в 2025 году.
